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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。23685-24￥6.115525-49￥5.662550-99￥5.3454100-499￥5.2095500-2499￥5.11892500-4999￥5.00575000-9999￥4.9604≥10000￥4.8924 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。158210-99￥10.5240100-499￥9.9978500-999￥9.64701000-1999￥9.62952000-4999￥9.55935000-7499￥9.47167500-9999￥9.4014≥10000￥9.3664 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP12P20, 11.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装67215-49￥15.186650-199￥14.5376200-499￥14.1742500-999￥14.08331000-2499￥13.99242500-4999￥13.88865000-7499￥13.8237≥7500￥13.7588 -
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品类: MOS管描述: 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET53245-24￥1.984525-49￥1.837550-99￥1.7346100-499￥1.6905500-2499￥1.66112500-4999￥1.62445000-9999￥1.6097≥10000￥1.5876 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。762010-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET875710-99￥10.8840100-499￥10.3398500-999￥9.97701000-1999￥9.95892000-4999￥9.88635000-7499￥9.79567500-9999￥9.7230≥10000￥9.6868 -
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品类: MOS管描述: TO-220F N-CH 100V 41A54545-24￥5.346025-49￥4.950050-99￥4.6728100-499￥4.5540500-2499￥4.47482500-4999￥4.37585000-9999￥4.3362≥10000￥4.2768 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V68115-49￥15.291950-199￥14.6384200-499￥14.2724500-999￥14.18101000-2499￥14.08952500-4999￥13.98495000-7499￥13.9196≥7500￥13.8542 -
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品类: MOS管描述: FDPF5N50NZ 系列 500 V 1.5 Ohm 30 W N 沟道 Mosfet - TO-220F182010-99￥10.2480100-499￥9.7356500-999￥9.39401000-1999￥9.37692000-4999￥9.30865000-7499￥9.22327500-9999￥9.1549≥10000￥9.1207 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF16N50UT, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装50835-49￥16.766150-199￥16.0496200-499￥15.6484500-999￥15.54811000-2499￥15.44772500-4999￥15.33315000-7499￥15.2615≥7500￥15.1898 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装94125-49￥14.625050-199￥14.0000200-499￥13.6500500-999￥13.56251000-2499￥13.47502500-4999￥13.37505000-7499￥13.3125≥7500￥13.2500 -
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品类: MOS管描述: MOSFET P-Ch 2.5V Specified Enhancement Mode528420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: MOS管描述: FDP12N50 系列 500 V 650 mOhm 法兰安装 N 沟道 Mosfet - TO-220-3991610-99￥10.6800100-499￥10.1460500-999￥9.79001000-1999￥9.77222000-4999￥9.70105000-7499￥9.61207500-9999￥9.5408≥10000￥9.5052 -
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品类: MOS管描述: N沟道 650V 11A10965-49￥12.483950-199￥11.9504200-499￥11.6516500-999￥11.57701000-2499￥11.50232500-4999￥11.41695000-7499￥11.3636≥7500￥11.3102 -
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品类: MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。992610-99￥6.7320100-499￥6.3954500-999￥6.17101000-1999￥6.15982000-4999￥6.11495000-7499￥6.05887500-9999￥6.0139≥10000￥5.9915 -
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品类: MOS管描述: FCPF22N60NT 管装641710-99￥9.1800100-499￥8.7210500-999￥8.41501000-1999￥8.39972000-4999￥8.33855000-7499￥8.26207500-9999￥8.2008≥10000￥8.1702 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP104N60, 37 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装81945-49￥26.816450-199￥25.6704200-499￥25.0286500-999￥24.86821000-2499￥24.70782500-4999￥24.52445000-7499￥24.4098≥7500￥24.2952 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP11N60, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装34045-49￥13.548650-199￥12.9696200-499￥12.6454500-999￥12.56431000-2499￥12.48322500-4999￥12.39065000-7499￥12.3327≥7500￥12.2748 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V83385-24￥5.265025-49￥4.875050-99￥4.6020100-499￥4.4850500-2499￥4.40702500-4999￥4.30955000-9999￥4.2705≥10000￥4.2120 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20C. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 V31625-24￥6.169525-49￥5.712550-99￥5.3926100-499￥5.2555500-2499￥5.16412500-4999￥5.04995000-9999￥5.0042≥10000￥4.9356 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 55V 58A953220-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000
